山东天岳先进材料科技有限公司于2010年注册成立，主要经营蓝宝石和碳化硅半导体单晶衬底的生产。并于2012年实现产房建成并且投入生产。为推动国家半导体单晶衬底高新技术迈进了强有力的一步。
6月27日，中国电子材料行业协会组织专家在济南召开山东天岳先进材料科技有限公司“4英寸高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底材料”项目科技成果鉴定会。鉴定委员会通过听取工作报告、技术报告、检验报告等，审查相关资料，考察科研生产现场，一致认为：该成果创新点突出，为国内领先、并达到国际先进水平，同意通过鉴定。
据了解，碳化硅基微波器件作为当今世界最为理想的微波器件，其功率密度是现有微波器件的10倍，将成为下一代雷达技术的标准，美军干扰机和“宙斯盾”驱逐舰的相控阵雷达已开始换装碳化硅基微波器件产品，军用市场将在未来几年推动碳化硅基微波器件的快速发展。可以说，研制高纯半绝缘碳化硅衬底材料是我国新一代雷达系统获得突破的核心课题之一。
山东天岳先进材料科技有限公司研制的4英寸高纯半绝缘SiC半导体材料的成功推出，对我国功率器件、深亚微米器件和微波功率器件的开发和应用具有重要的意义。